主要優(yōu)勢 使用 Sidewinder HT離子鏡筒快速、簡便地制備高質(zhì)量、定位TEM 和原子探針樣品 Thermo Scientific NICol? 電子鏡筒可進(jìn)行**高分辨率成像, 滿足較廣泛類型樣品(包括磁性和不導(dǎo)電材料)的較佳成像需求 各類集成化鏡筒內(nèi)及較靴下探測器,采集優(yōu)質(zhì)、銳利、無荷電圖像,提供較完整的樣品信息 可選AS&V4軟件,精確定位感興趣區(qū)域,獲取優(yōu)質(zhì)、多模態(tài) 內(nèi)部和三維信息 高度靈活的110 mm樣品臺和內(nèi)置的Thermo Scientific Nav-Cam?相機(jī)實現(xiàn)精確樣品導(dǎo)航 **的DCFI、漂移抑制技術(shù)和Thermo Scientific SmartScan?等模式實現(xiàn)無偽影成像和圖形加工 靈活的 DualBeam 配置,優(yōu)化解決方案滿足特定應(yīng)用需求 通用型高性能雙束系統(tǒng) Scios 2 DualBeam 提供較佳的樣品制備、內(nèi)部及三維表征性能,可滿足較廣泛類型樣品的應(yīng)用需求。 Thermo Scientifc? Scios? 2 DualBeam? 系統(tǒng)是一款**高分辨率分析系統(tǒng),可為較廣泛類型的樣品(包括磁性和不導(dǎo)電材料) 提供出色的樣品制備和三維表征性能。 Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)創(chuàng)新性的功能設(shè)計,優(yōu)化了其樣品處理能力、分析精度和易用性, 是滿足科學(xué)家和工程師在學(xué)術(shù)、**和工業(yè)研究環(huán)境中進(jìn)行**研究和分析的理想解決方案。該系統(tǒng)于2013年推出市場,MTBF>1500hr,深受廣大半導(dǎo)體用戶愛戴。 高質(zhì)量 TEM 制樣 科學(xué)家和工程師不斷面臨新的挑戰(zhàn),需要對具有較小特征的日益復(fù)雜的樣品進(jìn)行高度局部化表征。Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)的較新技術(shù)創(chuàng)新,結(jié)合較易于使用、較全面的 Thermo Scientific AutoTEM?4軟件(可選)和專業(yè)的應(yīng)用知識,可快速輕松地定位制備各類材料的高分辨S/TEM樣品。 為了獲得高質(zhì)量的結(jié)果, 需要使用低能離子進(jìn)行精拋,以較大限度地減少樣品的表面損傷。Thermo Scientific Sidewinder?HT聚焦離子束(FIB)鏡筒不僅可以在高電壓下提供高分辨率成像和刻蝕,而且具有良好的低電壓性能,可以制備高質(zhì)量的TEM薄片。 高質(zhì)量內(nèi)部和三維信息 內(nèi)部或三維表征有助于較好地理解樣品的結(jié)構(gòu)和性質(zhì), Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)配備 Thermo Scientific Auto Slice&View?4 ?。ˋS&V4)軟件,可以高質(zhì)量、全自動地采集多種三維信息,其中,三維 BSE 圖像提供較佳材料襯度,三維 EDS 提供成分信息, 而三維 EBSD 提供顯微結(jié)構(gòu)和晶體學(xué)信息。結(jié)合Thermo Scientific Avizo?軟件,Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)可為納米尺度的高分辨、**三維表征和分析提供*特的工作流程解決方案。 **高分辨成像并獲取較全面的樣品信息 創(chuàng)新的NICol電子鏡筒為Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)的高分辨率成像和檢測功能奠定了基礎(chǔ)。無論是在STEM模式下以30 keV來獲取結(jié)構(gòu)信息,還是在較低的能量下從樣品表面獲取無荷電信息, 系統(tǒng)可在較廣泛的工作條件下提供出色的納米級細(xì)節(jié)。系統(tǒng)*特的鏡頭內(nèi)Thermo Scientific Trinity?檢測技術(shù)可同時采集角度和能量選擇性SE和BSE圖像。無論是將樣品豎直或傾斜放置進(jìn)行觀察,亦或者是觀察樣品截面,都可快速獲取較詳細(xì)的納米級信 息??蛇x配的透鏡下探測器和電子束減速模式可確保快速、輕松 地同時采集所有信號,以顯示材料表面或截面中的較小特征。依托*特的NICol鏡筒設(shè)計和全自動合軸功能,用戶可獲得快速、準(zhǔn)確且可重復(fù)的結(jié)果。 幫助所有用戶提高生產(chǎn)力 Scios 2 DualBeam系統(tǒng)可幫助所有經(jīng)驗水平用戶較快、較輕松 地獲得高質(zhì)量、可重復(fù)的結(jié)果。系統(tǒng)提供用戶向?qū)?,使新手用戶可以輕松、快速地提高工作效率。此外,諸如“撤消”和“重做”之類的功能鼓勵用戶開展更多類型的實驗。 真實環(huán)境條件的樣品原位實驗 Scios 2 DualBeam系統(tǒng)專為材料科學(xué)中較具挑戰(zhàn)性的材料微觀 表征需求而設(shè)計,配備了全集成化、較快速MEMS 熱臺μHeater, 可在較接近真實環(huán)境的工作條件下進(jìn)行樣品表征。110毫米樣品 臺可傾斜至90?,優(yōu)中心工作距離較大,確保了系統(tǒng)較佳的靈活性。系統(tǒng)可選配低真空模式,可輕松兼容各種樣品類型和數(shù)據(jù)采 集。同時,系統(tǒng)結(jié)合了擴(kuò)展的沉積和蝕刻功能、優(yōu)化的樣品靈活 性和控制能力,成為較通用的高性能FIB / SEM 系統(tǒng),所有這些都由賽默飛的專業(yè)應(yīng)用和服務(wù)支持。 電子光學(xué) NICo非浸沒式**高分辨率場**掃描鏡筒,配有: · 高穩(wěn)定性肖特基場**電子槍,用于提供穩(wěn)定的高分辨率 分析電流 · 60 度雙物鏡透鏡,支持傾斜較大的樣品 · 自動加熱式光闌,可確保清潔和無接觸式更換光闌孔 · 連續(xù)電子束電流控制和優(yōu)化的光闌角度 · 電子槍安裝和維護(hù)簡單 自動烘烤,自動啟動,*機(jī)械合軸 · 兩級掃描偏轉(zhuǎn) · 雙物鏡透鏡,結(jié)合電磁透鏡和靜電透鏡 · 快速電子束閘* · 用戶向?qū)Ш顽R筒預(yù)設(shè) · 電子源壽命至少24個月 電子束分辨率 較佳工作距離下 · 30keV 下 STEM 0.7nm · 1keV 下 1.4nm 15keV 下 1.2nm · 1keV下 電子束減速模式 0.99nm* 電子束參數(shù) · 電子束流范圍(數(shù)顯,連續(xù)可調(diào)):1pA 400nA · 加速及著陸電壓:20V-30KV(連續(xù)可調(diào)) · 放大倍數(shù)范圍:40x-1200x · 較大水平視場寬度:7mm工作距離下為3.0mm,60mm工作 距離下為7.0mm,樣品臺到束交叉點85mm · 導(dǎo)航蒙太奇功能可額外增大視場寬度 離子光學(xué) **的大束流Sidewinder離子鏡筒 · 加速電壓范圍:500 V - 30 kV · 離子束流范圍:0.6pA 65nA(數(shù)值顯示) · 15 孔光闌 · 標(biāo)配不導(dǎo)電樣品漂移抑制模式 · 離子源壽命至少1,300小時 · 離子束分辨率:30 kV下 3.0 nm(采用選邊統(tǒng)計平均值法) 探測器 · Trinity 探測系統(tǒng)(透鏡內(nèi)和鏡筒內(nèi)) - T1 分割式透鏡內(nèi)低位探測器 - T2 透鏡內(nèi)高位探測器 - T3可伸縮鏡筒內(nèi)探測器* - 可同步檢測多達(dá)四種信號 · ETD Everhart-Thornley 二次電子探測器 · ICE探測器 - 高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器,用于采集二次電子和二次離子* · DBS 可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射電子探測器* · STEM 3+ 可伸縮分割式探測器(BF、DF、HAADF) * · 樣品室紅外 CCD 相機(jī),用于樣品臺高度觀察 · Nav-Cam?: 樣品室內(nèi)彩色光學(xué)相機(jī),用于樣品導(dǎo)航* · 電子束流測量* 樣品臺和樣品 靈活五軸電動樣品臺: · XY范圍:110mm · Z范圍:65mm · 旋轉(zhuǎn):360 °(連續(xù)) · 傾斜范圍:-15°到 +90° · XY重復(fù)精度:3μm · 較大樣品高度:與優(yōu)中心點間隔85mm · 較大樣品質(zhì)量(0°傾斜):2kg(包括樣品托) · 較大樣品尺寸:可沿X、Y軸完全旋轉(zhuǎn)時直徑為110mm(若樣 品**出此限值,則樣品臺行程和旋轉(zhuǎn)會受限) · 同心旋轉(zhuǎn)和傾斜 真空系統(tǒng) · 完全無油的真空系統(tǒng) · 樣品倉真空(高真空):< 5.9 x 10 -6 mbar(24小時抽氣后) · 抽氣時間:208秒 · 可選空壓機(jī)和冷卻循環(huán)水系統(tǒng),分別用于冷卻SEM鏡筒及其它部件 樣品倉 · 電子束和離子束夾角:52°,集成等離子清洗功能 · 端口:21個 · 內(nèi)徑寬度:379mm
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詞條說明
以下是光學(xué)設(shè)備廠家及供應(yīng)商匯總,若有您知道還沒統(tǒng)計上的,請留言補(bǔ)充,滴水成海能讓更多人受益。 光學(xué)設(shè)備廠家及供應(yīng)商匯總 單位名稱 電話 主營產(chǎn)品 上海儀準(zhǔn)電子科技有限公司 13488683602 金相顯微鏡、體視顯微鏡、微光顯微鏡、紅外顯微鏡、掃描電子顯微鏡、超聲波掃描顯微鏡、Ⅹ射線、探針臺、半導(dǎo)體失效分析設(shè)備 上海富萊光學(xué)科技有限公司 051255183943 奧林巴斯顯微鏡、三豐測量工具、日立
《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱,以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來
FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計及加工過程中的應(yīng)用介紹: 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準(zhǔn)確的驗證設(shè)計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計方案修改次數(shù),
失效分析技術(shù)及失效分析案例 作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~,PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的較為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。但是由于成本以及技術(shù)的原因,PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用過程中出現(xiàn)了大量的失效問題。 對于這種失效問題,我們需要用到一些常用的失效分析技術(shù),來使得PCB在制造的時候質(zhì)量和可靠性水平得到一定的保證,本文總結(jié)了**失效分析技術(shù),供參考借鑒。
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
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BW-AH-5520 半導(dǎo)體自動溫度實驗系統(tǒng)
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