鵬城半導體參加*十五屆中國微納電子技術交流與學術研討會
時間:2022-10-10作者:鵬城半導體技術(深圳)有限公司瀏覽:180
*十五屆中國微納電子技術交流學術研討會
時間:2022年10月28-30日
地點:廈門君泰酒店
鵬城半導體技術(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(深圳)與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術*與市場*的交叉點,尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
公司**業(yè)務是半導體材料、工藝和裝備的研發(fā)設計、生產(chǎn)制造。
公司人才團隊知識結構完整,有以哈工大教授和博士為**的高水平材料研究和工藝研究團隊;還有來自工業(yè)界的**裝備設計師團隊,他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(深圳),具備**的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市光明區(qū),設有中試基地,并在沈陽市設有全資子公司,具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
產(chǎn) 品 展 示
Product presentation
金剛石薄膜制備設備
熱絲CVD金剛石設備
研發(fā)設計制造了熱絲CVD金剛石設備,分為實驗型設備和生產(chǎn)型設備兩類。
設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。例如可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片,用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉;可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質涂層;環(huán)保領域污水處理用的耐腐蝕金剛石導電電極等。
可用于平面工件的金剛石薄膜制備,也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質涂層制備。
分類:單面熱絲CVD金剛石設備/雙面熱絲CVD金剛石設備
生產(chǎn)型熱絲CVD金剛石設備:可制備金剛石面積-寬650*1200mm/可制備金剛石φ 650mm
高真空磁控濺射儀
高真空磁控濺射儀(磁控濺射鍍膜機)是用磁控濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。
秉承設備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念,我們做了如下設計和工程實現(xiàn),實際運行效果良好,為用戶的**工藝實現(xiàn)提供了精準的工藝設備方案。
分子束外延薄膜生長設備(MBE)
該設備可以在某些襯底材料上實現(xiàn)外延生長工藝,實現(xiàn)分子自組裝、**晶格、**阱、一維納米線等。可以進行*二代半導體和*三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。
分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有**高的真空環(huán)境,是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長,它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜。
我公司設計制造的分子束外延薄膜生長實驗設備,分實驗型和生產(chǎn)型兩種 ,配置合理,結構簡單,操作方便,技術**,性能可靠,用途多,實用性強,價格相對較低,可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機
該設備是在高真空條件下,采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法,在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點材料。
可用于生產(chǎn)、科學實驗及教學,可根據(jù)用戶要求專門訂制。
可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動控制及光學膜厚自動控制兩種方式, 通過PLC 和工控機聯(lián)合實現(xiàn)對整個鍍膜過程的全程自動控制, 包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質量的一致性和穩(wěn)定性。
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機
該設備采用電阻熱蒸發(fā)技術,它是在高真空條件下,通過加熱材料的方法,在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜??捎糜谏a(chǎn)和科學實驗,可根據(jù)用戶要求專門訂制;可用于材料的物理和化學研究;可用于制備金屬導電電極;可用于**材料的物理化學性能研究實驗、**半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及**太陽能薄膜電池研究實驗等。
LPCVD設備
LPCVD設備是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)??捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。
PECVD設備
主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長;采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備......
鵬城半導體技術(深圳)有限公司專注于PVD鍍膜設備,化學氣相沉積C,金剛石涂層,分子束外延MBE等
詞條
詞條說明
鵬城半導體參加*十五屆中國微納電子技術交流與學術研討會
*十五屆中國微納電子技術交流學術研討會時間:2022年10月28-30日地點:廈門君泰酒店??鵬城半導體技術(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(深圳)與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術*與市場*的交叉點,尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。公司**業(yè)務是半導體材料、工藝和裝備的研發(fā)設計、生產(chǎn)制造。公司人才團隊知識
國華三新—鵬城半導體簽約儀式在深圳舉行
2022年1月17日, 國華三新與鵬城半導體在深圳舉行簽約儀式, 國華投資吳葉菲總經(jīng)理等一行出席本次簽約儀式;鵬城半導體代表吳向方先生等一行出席本次簽約儀式。關于我們鵬城半導體技術(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(深圳)、北京琨騰科技有限公司以及有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術*與市場*的交叉點,尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控
化學氣相沉積設備(CVD)-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)??捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角?;螤铑愋停翰灰?guī)則形狀的散片、φ2~4
為您提供高性價比真空鍍膜設備解決方案《520愛情風暴來襲》
真空鍍膜設備的薄膜制作過程,簡單來說就是將一種材料(薄膜材料)轉移到另一種材料(基底)的表面,形成和基底牢固結合的薄膜的過程。所以,任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個重要環(huán)節(jié)。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發(fā)源“源"的作用是提供鍍膜的材料(或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質。熱絲CVD金剛石設備二、遷移過程遷移過程都是在氣相中進行的,在氣態(tài)物質遷
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