詞條
詞條說(shuō)明
三菱IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。三菱IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通
在使用富士IGBT時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)事項(xiàng):電壓和電流匹配:選擇適當(dāng)?shù)母皇縄GBT型號(hào),確保其額定電壓和額定電流能夠滿足實(shí)際工作條件的需求,并注意不要超過其電壓和電流的極限值。散熱設(shè)計(jì):富士IGBT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量,因此需要進(jìn)行合適的散熱設(shè)計(jì),確保器件能夠在正常工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。選擇合適的散熱材料和散熱器,并正確安裝和調(diào)整散熱系統(tǒng)。靜電防護(hù):富士IGBT是一種敏感的半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電有很高的敏感
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水
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